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IXTU05N100
IXTY05N100
Fig. 7. Transconductance
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
1.6
1.4
1.2
T J = - 40oC
25oC
2.4
2.2
2.0
1.8
1.0
0.8
0.6
125oC
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 125oC
0.4
0.6
0.2
0.0
0.4
0.2
0.0
T J = 25oC
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
1,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 500V
I D = 1A
f = 1 MHz
8
7
I G = 1mA
100
Ciss
6
5
4
3
2
1
0
10
1
Coss
Crss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - NanoCoulombs
V DS - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
10.0
1.0
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - millisecond
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_05N100M(1TM)7-29-08
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